Magneto-Resistor Serial Giant Magnetic Resistor Sensors 巨 磁 敏 电 阻 元 件 铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下,其阻值发生很大的变化（达4~10℅,各向异性磁敏电阻为小于3%）.该现象叫磁阻效应. 磁电阻（MR）传感器是利用具有磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料,通过半导体集成工艺制作而成.具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽、响应频率高、工作温度特性好、可靠性高、成本低等特点 . 薄膜磁敏电阻元件的技术指标: MTG-L1 MTG-L1M(加偏置磁钢) MTG-L2 MTG-L3(桥式) 工作电压 5V ~ 15V 5V ~ 15V 工作磁场范围 0 Gs ~ +/-10 Gs 0 Gs ~ +/-50 Gs 0Gs~+/-3Gs 0 Gs ~ +/-10 Gs 标称阻值(KΩ) 2.0----3.6 2.0----3.6 1.0----2.0 1.0----2.0 对称性 小于1℅ 小于1℅ 小于1℅ 小于1℅ 线性度 小于2℅ 小于1℅ 小于2℅ 小于1℅ 灵敏度 0.3~0.7mV/V,Gs 0.1~0.4mV/V,Gs 1~4.0mV/V,Gs 0.5~1.5mV/V,Gs 标称阻值温度系数TCRO 0.09～0.12％/℃ 磁阻温度系数TCVΔR/RO -0.1％/℃ 磁阻温度系数TCIΔR/RO 0.031％/℃ 频率特性 0----1000 KHz 工作温度 -40℃-------+100℃ 封装 - TO 92 封装：MTG-L1： 3*4*2（厚度）mm MTG-L2 D4.5*4.5(高度)mm 应用: 1. 电子罗盘或电子指南针:航海,航空导航; 2.地磁场检测,高精度磁补偿电流检测; 3.交通控制系统交通工具检测:车辆分类,是否有车辆存在或通过的运动方向;仃车场车辆存在与否检测. 4． 旋转磁轮和运动磁条的转速或速度检测; 5．高速接近传感器；远距离(大于200mm)检测。