KEYENCE基恩士推出SI-F80R系列分光干涉式激光位移计

2011年12月30日　　来源：中国纺机网

产品信息

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产品索引

分光干涉式晶片厚度计

采用近红外 SLD，即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异，也可实现准确的生产线上测量。

产品特性

精确的只测量晶片厚度

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SI-F80R 系列使用近红外 SLD，可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG（背磨）胶带，也可精确测出晶片厚度。

几乎不受晶片图案的影响

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通过减小光点直径和光点内的表面相差，可最大限度的减少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数。

之前的所有问题迎刃而解

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[传统方式] 接触式测量		使用两个传感器一上一下不接触晶片进行测量


• 测量时可能会损坏晶片。 • 传感器将测量包括 BG 胶带在内的高度，一旦胶带厚度发生变化，整个结果就会出现误差。		• 很难在一条直线上对齐两个传感器的光轴。 • 传感器将测量包括 BG 胶带在内的厚度，一旦胶带厚度发生变化，整个结果就会出现误差。



紧靠生产线进行简单精确的测量		在生产线中持续监控


• 只需将传感器放在距离晶片 80 mm 的位置，即可轻松进行测量。 • 不接触晶片，避免晶片损伤。 • 传感器可直接只测量晶片厚度，因此测量不受 BG 胶带的影响。		• 小巧的传感头可安装在距离晶片 80 mm 的位置，因此可在抛光的同时在设备内部持续监控晶片厚度。